Проведены модельные исследования характеристик
модуляционного импульса при изменении угла наклона токовой рамки относительно
нормали к поверхности слабопроводящего материала. Получены зависимости
характеристик модуляционного импульса от геометрических размеров дефекта
для случая малых удельных проводимостей материала.
Проведено модельні дослідження характеристик
модуляційного імпульсу при зміні кута нахилу рамки зі струмом відносно
нормалі до поверхні слабопровідного матеріалу. Отримано залежності характеристик
модуляційного імпульсу від геометричних розмірів дефекту для випадку
малих питомих провідностей матеріалу.
Are observed modeling researches of modulation
impulse characteristics at change of the slope angle of current framework
relatively a normal to a surface of the material with small conductivity.
Dependences of modulation impulse characteristics from the geometrical
sizes of defect for a case small conductivity of the material are received.