Исследованы температурные и частотные зависимостей
комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости кристаллов
ортогерманата висмута. Показано, что ниже 550 К диэлектрические потери
можно отнести за счет электронной проводимости. В области 550-700 К
особенности наблюдаемых зависимостей соответствуют процессу тепловой
электронной (дырочной) поляризации.
Досліджено температурні та частотні залежності
комплексної діелектричної проникності та провідності кристалів ортогерманату
вісмуту. Показано, що при температурі нижче 550 К діелектричні втрати
обумовлюються електронною провідністю. У температурній області 550-700
К особливості спостерігаємих залежностей пов'язані з процесом теплової
електронної (діркової) поляризації.
Temperature and frequency dependencies of complex
dielectric permittivity and conductivity of Bi4Ge3O12 crystals were
investigated. It is shown that below 550K dielectric losses are caused
by elec-tron conductivity. In temperature range 550-700 K the features
of the observed dependencies are cor-responding to thermal electron
(hole) polarization process.
