Исследовано влияние легирующих ионов Al, Ga
и Sn на фотохромный эффект в кристаллах Bi12SiO20.
Выявлена идентичность структуры многокомпонентных спектров фотоиндуцированного
поглощения для исследованных кристаллов. Наблюдается закономерное длинноволновое
смещение полос поглощения, обусловленное увеличением ионного радиуса
изоэлектронных ионов Al, Ga и Sn.
Досліджено вплив легуючих іонів Al, Ga та Sn
на фотохромний ефект у кристалах Bi12SiO20. Виявлено
ідентичність структури багатокомпонентних спектрів фотоіндукованого
поглинання для всіх кристалів, що досліджувались. Спостерігається закономірний
зсув смуг поглинання, зумовлений збільшенням іонного радіусу ізоелектронних
іонів Al, Ga та Sn.
The influence of doping ions Al, Ga and Sn on
photochromic effect in Bi12SiO20 crystals is inves-tigated.
The identity of the structure of multicomponent spectra of the photoinduced
absorption for all investigated crystals. The regular displacement of
the absorption bands caused by the ion radius in-crease of isoelectronic
ions Al, Ga and Sn is observed.
